一维碳化硅材料本身的吸波性能并不高,但可以通过掺杂、复合等手段进行改善,从而获得各种高性能吸波材料。本课题组以二茂铁为原料,使用感应加热的方法,在碳化硅纤维表面生长出碳纳米管,成功制备出了CNT/SiC f 复合材料。
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此法制备的粉末粒径较大,不能制备纳米碳化硅粉体,为了制取粒径细小的纳米粉末,人们研究出了碳热还原法、激光诱导法、溶胶-凝胶法、化学气相沉积法、等离子体法、高能球磨法等新方法。溶胶-凝胶法制备碳化硅纳米粉体的核…
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· C/SiC摩阻材料制备过程 第25-28 页 · C/SiC摩阻材料制备工艺路线 第25 页 · 浸渗液的配制 第25-26 页 · 浸渗工艺 第26 页 · 固化及碳化工艺 第26-28 页 · 实验设备 第28 页 · 分析测试设备 第28-31 页 · 研究方法 第31-32
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9 610 石英砂,硅微粉设备供应商：潍坊德尔粉体设备技术有限公司作为参展单位亮相2020全国石英大会！ 1 3898 石墨烯芯片迎来突破,芯片国产化有转折？性能是硅基芯片的十倍 2 3816 31张PPT解读碳化硅的应用及产业现状 3 3500 你不知道的制备石墨烯的
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本发明提供了一种碳化硅外延材料。所述碳化硅外延材料包括N+碳化硅单晶衬底层,位于衬底下面的P+支撑层和位于衬底表面的N-漂移层,其制备方法包括以下步骤1、N+型衬底的准备；2、对N+型衬底的背面化学机械抛光；3、在背面进行P+支撑层的生长；4、N+型衬底正面的减薄；5、正面化学机械抛光；6 ...
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碳化硅纳米材料除了具有热传导率高、热稳定性强、抗氧化、耐化学腐蚀、热膨胀系数低、热传导率高、化学稳定性能好、机械性能高等特点,还具有高的禁带宽度,小的介电常数和较高的电子饱和迁移率,高的临界击穿电场和热导率等许多优良的特性。
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碳化硅纤维是一种以碳和硅为主要成分的高性能陶瓷材料,具有高温耐氧化性、高硬度、高强度、高热稳定性、耐腐蚀性和密度小等优点。制备碳化硅纤维主要有4种方法：先驱体转化法、化学气相沉积法、超微细粉高温烧结法和活性炭纤维转化法。
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长晶设备已经向合作伙伴供货,碳化硅晶体材料是此次募投方向。所以露笑科技在碳化硅领域的阶段定位为早期,技术成熟,市场有待开拓。 我们谈一谈,第三代半导体材料的主角之一,碳化硅（SiC）。 本文尝试将碳化硅技术、产品和市场,以及露笑
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半导体碳化硅单晶材料的发展摘要：本文回顾了半导体碳化硅（SiC）单晶材料的发展史,简单介绍了半导体SiC单晶材料的结构与性质,对物理气相传输法（PVT）制备SiC单晶做了描述,详细介绍了SiC单晶中的微管、多型和小角晶界等重要缺陷,同时 ...
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碳化硅（SiC）又名金刚砂,乍一听想必它与金刚石有点渊源,事实还真是如此。1891年美国人艾奇逊在进行电熔实验时偶然发现了这种碳化物,误以为是金刚石的混合体,便赐它"金刚砂"一名。 碳化硅（SiliconCarbide）是C元素和Si元素形成的化合物。
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全球可以制备高纯半绝缘碳化硅晶片的厂家,一共有四家,而我们公司是其中的一家,我们不但掌握了碳化硅材料的制备技术,同时从生产设备到原材料我们也实现了自主可控。
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碳化硅业务技术优势 公司在布局蓝宝石业务期间积累了大量的生产蓝宝石长晶炉的经验,由于蓝宝石晶体和碳化硅晶体生长之间的相似性,公司在碳化硅晶体生长的长晶炉上同样具有较强的实力。
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建筑面积 2.7 万平方米,能容纳 600 台碳化硅单晶生产炉和 18 万片 N 型晶片的加工检测能力,可形成 7.5 万片的碳化硅晶片产能。 自 2007 年,中国电科 2 所便着手布局碳化硅单晶衬底材料的研制规划,依靠自身在电子专用设备研发领域的技术优势,潜心钻研着碳化硅单晶生长炉的研制。
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碳化硅业务"万事俱备,只欠东风" 关于碳化硅,露笑科技技术积淀较为深厚,目前公司已经完成6寸石英管式碳化硅晶体生长炉开发,以独特密封结构解决设备高真空度获取与长时间保持的难题,极限真空2×10-5Pa,具备工程化使用条件。
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纳米碳化硅单晶体的制备 作品详细信息展示,分享和评论 科学性、先进性 对于碳化硅单晶体的研究,已经有多年的历史,很多学者也提出了一些成功的制备方案。G.C. Xi、Z.J Li、R.B Wu、G.Z. Yang等通过多种方法,在实验室中制备了一维生长的碳化硅单晶体。
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高温制备SiC冶炼块的热工设备是专用的碳化硅电炉,其结构由炉底、内面镶有电极的端墙、可卸式侧墙、炉心体(全称为:电炉的通电发热体,一般用石墨粉或石油焦炭按一定的形状与尺寸安装在炉料,一般为圆形或矩形。其两端与电极相连)等组成。
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碳化硅陶瓷材料具有高温强度大,高温抗氧化性强,耐磨损性能好,热稳定性,热彭胀系数小,热导率大,硬度高,抗热震和耐化学腐蚀等优良特性。在汽车、机械化工、环境保护、空间技术、信息电子、能源等领域有着日益广泛的应用,已经成为一种在很多工业领域性能优异的其他材料不可替代的 ...
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原标题：国内碳化硅产业布局加速中 露笑科技 欲突破SiC晶体制备难题 来源：证券日报网 本报见习记者 吴文婧 近日,随着小米氮化镓快充头的发布 ...
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这种方法制备的b-SiC 纳米晶须平均直径为20~60 nm 长度可达2~3 ìm 形态光滑 同时 在SiC 纳 米晶须的顶端还得到了Fe 纳米粒子 这种方法使用 的原材料易得 设备简单 成本低廉 有可能大规模 制备b-SiC 纳米晶须 但是 制备的晶须中顶端带有 Fe 纳米颗粒 而晶须
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由于制备碳化硅晶体所需温度通常需达到2000度以上,故用于制备碳化硅晶体的设备温一般可达2500 度以上。 图集 碳化硅晶体的概述图 V百科往期回顾 词条统计 浏览次数： 次 编辑次数：18次历史版本 近更新： 14159ccc 突出贡献榜 古登剑客 ...
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今年的半导体产业,碳化硅（SiC）颇为火热。 前不久,英飞凌宣布以1.39亿美元收购初创企业Siltectra,获得后者创新技术ColdSpilt以用于碳化硅晶圆的切割上,进一步加码碳化硅市场,X—Fab、日本罗姆等企业早些时候也相继宣布将扩大碳化硅产能,碳化硅产业海外重要玩家已开始备战。
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